基于前两篇文章介绍，无线通讯系统后端（Back end）使用基频晶片来处理数位讯号，前端（Front end）则所使用的集成电路（IC）大致上可以分为“射频晶片”与“中频晶片”两大类，分别使用不同材料的晶圆制作：
中频晶片（Intermediate Frequency，IF）：又称为“类比基频（Analog baseband）”，概念上就是“高频数位类比转换器（DAC）”与“高频类比数位转换器（ADC）”，包括：调变器（Modulator）、解调器（Demodulator），通常还有中频放大器（IF amplifier）与中频带通滤波器（IF BPF）等，通常由矽晶圆制作的 CMOS 元件组成，可能是数个积体电路，其些可能整合成一个积体电路（IC）。
射频晶片（Radio Frequency，RF）：又称为“射频集成电路（RFIC）”，是处理高频无线讯号所有晶片的总称，通常包括：传送接收器（Transceiver）、低杂讯放大器（LNA）、功率放大器（PA）、带通滤波器（BPF）、合成器（Synthesizer）、混频器（Mixer）等，通常由砷化镓晶圆制作的 MESFET、HEMT 元件，或矽锗晶圆制作的 BiCMOS 元件，或矽晶圆制作的 CMOS 元件组成，目前也有用氮化镓（GaN）制作的功率放大器，可能是数个积体电路，某些可能整合成一个积体电路（IC）。