25um65 什么意思(25UM65)

阻抗的定义:在具有电阻、电感和电容的电路里,对电路中的电流所起的阻碍作用叫做阻抗。阻抗常用Z表示,是一个复数,实部称为电阻,虚部称为电抗,其中电容在电路中对交流电所起的阻碍作用称为容抗 ,电感在电路中对交流电所起的阻碍作用称为感抗,电容和电感在电路中对交流电引起的阻碍作用总称为电抗。 阻抗的单位是欧姆。阻抗的概念不仅存在于电路中,在力学的振动系统中也有涉及。

阻抗的分类:常见的阻抗分为:单端(线)阻抗、差分(动)阻抗、共面阻抗此三种情况。

单端(线)阻抗:英文 single ended impedance ,指单根信号线测得的阻抗 。

差分(动)阻抗:英文 differential impedance,指差分驱动时在两条等宽等间距的传输线中测试到的阻抗。

共面阻抗:英文 coplanar impedance ,指信号线在其周围 GND/VCC(信号线到其两侧 GND/VCC间距相等)之间传输时所测试到的

阻抗影响因素:

介质介电常数,与阻抗值成反比 ,介电常数按新提供的《板材介电常数表》计算 。

H1,H2,H3...:线路层与接地层间介质厚度,与阻抗值成正比。

阻抗线线底宽度;W2:阻抗线线面宽度,与阻抗成反比。

A:当内层底铜为 HOZ 时,W1=W2+0.3mil;内层底铜为 1OZ 时,W1=W2+0.5mil;当内层底铜为 2OZ 时 W1=W2+1.2mil 。

B:当外层底铜为 HOZ,W1=W2+0.8mil ; 外层底铜为 1OZ 时,W1=W2+1.2mil ; 外层层底铜为 2OZ 时,W1=W2+1.6mil。

C: W1 为原稿阻抗线宽。

:铜厚,与阻抗值成反比。

A:內层为基板铜厚,HOZ 按 15UM 计算;1OZ 按 30UM 计算;2OZ 按 65UM 计算.

B:外层为铜箔厚度+镀铜厚度,依据孔铜規格而定,当底铜为HOZ,孔铜(平均 20UM,最小 18UM )时,表铜按 45UM 计算;孔铜(平均 25UM,最小 20UM)时,表铜按 50UM 计算;孔铜单点最小 25UM 时,表铜按 55UM 计算。

C:当底铜为 1OZ,孔銅(平均 20UM,最小 18UM )时,表铜按 55UM 计算;孔铜(平均 25UM,最小 20UM)时,表铜按 60UM 计算;孔铜单点最小 25UM 时,表铜按 65UM 计算。

相邻线路与线路之间的间距,与阻抗值成正比(差动阻抗)。

基材阻焊厚度,与阻抗值成反比 ;C2:线面阻焊厚度,与阻抗值成反比 ;C3:线间阻焊厚度, 与阻抗值成反比 ;CEr:阻焊介电常数,与阻抗值成反比 。

A:印一次阻焊油墨,C1 值为 30UM ,C2 值为 12UM ,C3 值为 30UM 。

B:印两次阻焊油墨,C1 值为 60UM ,C2 值为 25UM ,C3 值为 60UM 。C:CEr:按 3.4 计算 。

阻抗的匹配技术:

输入阻抗

输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个电压源U,测量输入端的电流I,则输入阻抗R就是U/I。你可以把输入端想象成一个电阻的两端,这个电阻的阻值,就是输入阻抗。输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样,它反映了对电流阻碍作用的大小。对于电压驱动的电路,输入阻抗越大,则对电压源的负载就越轻,因而就越容易驱动,也不会对信号源有影响;而对于电流驱动型的电路,输入阻抗越小,则对电流源的负载就越轻。因此,我们可以这样认为:如果是用电压源来驱动的,则输入阻抗越大越好;如果是用电流源来驱动的,则阻抗越小越好(注:只适合于低频电路,在高频电路中,还要考虑阻抗匹配问题。)另外如果要获取最大输出功率时,也要考虑阻抗匹配问题。

输出阻抗

无论信号源或放大器还有电源,都有输出阻抗的问题。输出阻抗就是一个信号源的内阻。本来,对于一个理想的电压源(包括电源),内阻应该为0,或理想电流源的阻抗应当为无穷大。输出阻抗在电路设计最特别需要注意。

但现实中的电压源,则不能做到这一点。我们常用一个理想电压源串联一个电阻r的方式来等效一个实际的电压源。这个跟理想电压源串联的电阻r,就是(信号源/放大器输出/电源)的内阻了。当这个电压源给负载供电时,就会有电流I从这个负载上流过,并在这个电阻上产生I×r的电压降。这将导致电源输出电压的下降,从而限制了最大输出功率(关于为什么会限制最大输出功率,请看后面的“阻抗匹配”一问)。同样的,一个理想的电流源,输出阻抗应该是无穷大,但实际的电路是不可能的。