芯片种类之多，有成千上万种。虽然功能不一，但是构成芯片的基本单元都是一致的。
以硅基芯片为例:顾名思义，硅基芯片，就是在硅的基本上制造出来的芯片(除此之外，还有锗、碳化硅、氮化镓、玻璃、蓝宝石等等)。
制造硅基芯片的工艺主要有体硅(Bulk Silicon)和绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator, SOI) CMOS工艺。CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补型金属氧化物半导体的简写。所谓的互补型CMOS是针对早期NMOS工艺而言。
基于CMOS工艺的单元有源器件NMOS、PMOS，以及无源器件电阻、电容、电感。有源器件根据工作电压区域可分为IO和Core 器件，当然，某些工艺还开发耐高压器件。根据有源器件特性，NMOS用来传低电平，而PMOS用来传高电平。
电阻有较多种类，包含金属、多晶硅、有源区以及阱电阻；而且每一种可分为N型和P型(前者的多子是电子，后者是空穴)。当然它们每个阻值大小、温度系数(有一阶、二阶以及高阶温度系数)、工艺一致性以及制造成本皆不同。
电容种类较少，一般就是指MIM(Metal Insulator Metal)以及MOM(Metal Oxide Metal)。前者是在现有工艺上添加额外一层绝缘物来提高电容密度;而后者只是利用现有工艺同层金属的寄生电容，不增加额外成本，但同样的面积，容值小(芯片内部电容最大的也不超过nF级别)。除此之外，还可以利用MOS管栅氧构成电容，优点是成本低，缺点是漏电大、一致性差。
电感，一般都是在射频工艺中才用到。同样的绝缘材质，利用增加金属绕线的圈数来增加电感值。