集微网消息，2月21日，捷捷微电在互动平台表示，公司已与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至至2月20日，公司拥有氮化镓相关实用新型专利2件，此外，公司还有3个发明专利，1个实用新型专利尚在申请受理中。
据集微网此前报道，捷捷微电与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置，是当前新型电力电子器件的研发主流，其相关技术与产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域，以及智能汽车及充电桩、太阳能发电、风力发电等新能源领域具有广阔的市场，宽禁带电力电子器件产品将是未来电力电子技术的重要价值增长点。
据了解，捷捷微电于2月13日正式复工，目前芯片生产线、封测生产线产能接近95%。目前公司库存（包括产线的在制品）可以提供两个月的交货期，从产能利用率角度来说，由于目前复工率比较好，疫情影响是有限的，预计今年第一季度营业收入有10%左右的增长。
目前，捷捷微电子已形成以芯片研发和制造为核心、器件封装为配套的完整生产链。（校对/小如）