在HotChips 33大会上，三星对外公布了他们正在开发拥有8层TSV封装的DDR5内存，而现在三星的DDR4是用4层TSV封装的，这使得DDR5内存的容量是DDR4的两倍，未来单根512GB的DDR5成为可能。
根据Computerbase的报道，三星通过优化封装，芯片之间的间隙减少了40%，而且使用了薄晶圆技术，这使得8层TSV封装的DDR5高度其实比4层的DDR4更低，而且这还带来了更好的散热能力。
一根DDR5内存的容量能达到512GB，这和DDR4相比是一个巨大进步，目前面向服务器市场的DDR4内存最多做到单根256GB，而消费级市场最多是64GB和32GB。
三星预计DDR5内存会比DDR4性能提高85%，可提供7.2Gbps的带宽，并且有两倍的容量，而且DDR5内存模块的电压只有1.1V，这使得它工作起来更为节能。当然了三星所说的512GB是指服务器内存，普通消费市场不用期待单根内存容量很快突破64GB。
三星预测要到2023或2024年主流市场才会过度到DDR5，而数据中心市场转向会更快一些，所以三星计划在今年年底前生产512GB的DDR5-7200内存模组。