近日，有多位数码博主公布实测数据称，华为Mate40 Pro的闪存读写速度超过了UFS 3.1，疑似采用了华为自研的一种新型闪存（或为sfs 1.0）。
根据数码博主@小白测评 实测数据显示，华为Mate40 Pro的持续读取、写入速度分别达到了1966MB/s、1280MB/s，远高于其他旗舰手机。作为对比，采用UFS3.1闪存的小米10至尊版的读写速度分别为1772MB/s、789MB/s；三星Note20 Ultra分别为1750MB/s、736MB/s。从数据对比上来看，华为Mate40 Pro闪存写入提升十分明显，增幅超过70%。
在随机读写性能方面，华为Mate40 Pro随机读取速度实测为383MB/s，随机写入更是达到了夸张的548MB/s，较一般UFS 3.1机型几乎翻倍。
此前有博主猜测，Mate 40 Pro能如此高的读写速度，可能是华为将UFS 3.1优化到了极致。但根据艾奥科技的Mate40 RS保时捷设计的拆机视频中，第一次发现了印有海思Logo的闪存，这似乎已经说明，华为已经有自研的闪存了。
随后有网友爆料称，华为Mate 40 Pro、Mate 40 Pro 以及Mate40 RS保时捷设计采用了华为自研的一种新型闪存（或为sfs 1.0）。但华为官方从未公开提及，也未在发布会上进行宣传，技术细节尚不清楚。但实测结果已经表明，华为Mate 40 Pro的闪存性能目前在众多旗舰机中是一马当先，至于所有闪存背后的技术，还有待更多挖掘。
其实华为很早就有自研SSD闪存控制器，同时有做一些闪存技术的研发也并不奇怪。但是，需要指出的是，华为海思只是芯片设计公司，芯片制造一向是交由晶圆代工厂来生产。但是，在存储芯片市场，并没有代工一说，因为主流的的存储芯片厂商都是IDM，即自己设计、自己生产，而且不会给其他芯片设计公司代工存储芯片。
考虑到美国禁令的影响，很多芯片厂商在9月15日之后，就无法向华为供货，华为还在现货市场买了很多存储芯片，可能是为了避免对供应商产生影响，也可能是为了避免外界对于华为目前的存储芯片的库存情况的推测，华为有可能会对存储芯片进行重新丝印，打上海思的LOGO。
但是，这并不能完全解释，为何Mate 40 Pro系列的存储芯片的读写性能表现能大幅超过UFS3.1。那么是华为与存储芯片厂商合作，在存储芯片当中加入了其自研的IP了吗？也有可能是外购存储颗粒+自研主控来封装，但是美国禁令下，谁会向华为提供封测服务？
当然，这些都只是猜测，具体如何可能还需要对其存储芯片进行更为深入的分析才能解开谜团。
编辑：芯智讯-林子