“2020年12月初，基于CSiP180AlPDK的首批MPW硅光芯片已完成制备与检测，并陆续交付到客户手中，标志着CUMEC公司具备了硅基光电子领域全流程自主工艺制造能力，开始向全球提供硅光芯片流片服务和设计服务。”联合微电子中心（CUMEC公司）硅光CSiP180Al PDK研发班组成员兴奋地表示，7个月前，他们成功开发出180nm成套硅光工艺（CSiP180Al PDK）并面向全球发布，部分器件性能指标达到了国际先进水平。
PDK (process design kit )是沟通IC设计公司、代工厂与EDA厂商的桥梁，用代工厂的语言定义了一套反映foundry工艺的文档资料，是设计公司用来做物理验证的基石，也是流片成败关键的因素。“硅基光电子技术发展今天已经相对成熟，基于硅光技术的光模块出货量已经达到数百万个，但是相比集成电路工业无比成熟的PDK，硅基光电子领域的PDK还比较单薄，而CUMEC公司发布的PDK是硅光领域的一大进步！”比利时皇家科学院院士、根特大学教授、ePIXfab创始人Roel Baets在接受《光纤在线》专访时表示。
CUMEC公司基于CSiP180AlPDK的硅光MPW流片可为全球客户提供低成本芯片制备渠道，交货周期120天，比海外流片时间缩短一半，用户通过分摊掩膜面积可大幅降低流片费用，并获得稳定的晶圆级工艺验证，快速推进原型设计进入小批量生产。CUMEC公司也向全球客户提供包晶圆流片和定制化流片服务，针对客户需求开发特定的专属硅光工艺，将极大优化客户产品性能并提升竞争力，并以专业的产线管理和极高的工艺质量控制为客户进行批量生产。
党的十九届五中全会明确指出坚持创新在我国现代化建设全局中的核心地位，要把科技自立自强作为国家发展的战略支撑，要打好关键核心技术攻坚战，提高创新链整体效能。
CUEMC公司党支部深入贯彻落实习近平总书记关于“坚持创新驱动，全面塑造发展新优势”等讲话精神要义，指导组建了硅光CSiP180Al PDK研发班组，加强核心技术攻关，致力于提供硅光集成芯片全流程解决方案，打造产业链创新生态。
充分发扬“不到长城非好汉”的进取精神，硅光CSiP180Al PDK研发班组自主研发，奋力拼搏，攻克硅光PDK开发中一项又一项技术难关。针对硅光芯片制备的特殊要求，班组成员对CMOS工艺流程进行了合理改造，解决了一系列工艺难题，实现了单层硅上多尺寸、多深度、多密度结构的制备，在180nm工艺节点将硅光芯片的关键指标之一——单模波导传输损耗降低至1.5 dB/cm以内，部分批次达到1.0 dB/cm，该数据已达到国际领先水平，优于比利时imec、新加坡AMF等对外发布的硅光工艺平台指标。
针对建立硅光器件库的迫切需要，班组基于CUMEC工艺流程提出了众多创新性设计，不到一年的时间便构建了成套硅光无源和有源器件库，支持用户采用“搭积木”的方式完成复杂芯片系统的设计，并依靠丰富的设计经验，对所有器件设计了完备的验证架构，实现了对器件完整属性的测试和验证，为提升设计有效性奠定了坚实基础。班组还创新地提出了硅光器件紧凑模型架构，支持硅光物理仿真、链路仿真、版图设计、物理验证等设计全流程，满足多层次硅光芯片设计需求，以此为基础打造的硅光PDK也是国内首个基于参数化紧凑模型的硅光PDK，在世界同类平台中处于第一梯队。
未来，硅光CSiP180Al PDK研发班组，将坚持以党的十九届五中全会精神为引领，以科技创新和关键核心技术攻关工作作为首要任务，力争形成硅基光电子方向全面的技术和产品体系，以硅光器件库和设计自动化为契入点，研制具有自主知识产权、自主创新的硅光器件与IP库，全面支撑硅光集成芯片的全流程解决方案，推动硅光产品在高速光传输、激光雷达、光子AI等领域的应用，全力打造成为后摩尔时代电子信息与智能产业的创新引擎。